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IGBT管的使用注意事項
IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導致損壞的危險.此外，在柵極發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過 這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發熱乃至損壞在應用中，有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結構，對于靜電就要十分注意 因此，請注意下面幾點：
(1)在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸;
(2)在用導電材料連接IGBT管的驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
(3)盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時，應十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT 管間涂抹導熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT管發熱，從而發生故障，因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT管工作。
IGBT靜態參數測試系統
可測試IGBT參數包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、
GFS、rCE等全直流參數，所有小電流指標保證1%重復測試精度，大電流指標保證2%以內重復測試精度。
主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測試選項
BR3500測試系統是一項高速多用途半導體分立器件智能測試系統。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力。可真實準確測試達十九大類二十七分類大、中、小功率的半導體分立器件。
一、可測試種類
1.二極管 Diode
2.穩壓(齊納)二極管 Zener
3.晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
4.可控硅整流器(普通晶閘管) SCR
5.雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC
6.MOS場效應管 Power MOSFET(N-溝/P-溝)
7.結型場效應管 J-FET (N-溝/P-溝，耗盡型/增強型)
8. 三端穩壓器 REGULATOR(正電壓/負電壓，固定/可變)
9.絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(NPN型/PNP型)
10.光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)
11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12.光電開關管 OPTO-SWITCH
13.達林頓陣列
14.固態過壓保護器 SSOVP
15.硅觸發開關 STS
16.繼電器 RELAY(A、B、C型)
17.金屬氧化物壓變電阻 MOV
18.壓變電阻 VARISTO
19.雙向觸發二極管 DIAC
二、技術參數及可實現目標
主極電壓：1000V 通過內部設置可擴展到：2000V
主極電流：50A 加選件可擴展到：400A/500A/1000A/1250A
控制極電壓：20V 加大電流臺選件可擴展到：80V
控制極電流：10A 加大電流臺選件可擴展到：40A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：100pA 加小電流臺選件可擴展到：1pA(文章來源：北京德爾西曼www.883189.com)